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A033499其他專用儀器儀表

高維超導(dǎo)量子比特研究，需要高質(zhì)量的超導(dǎo)量子芯片。超導(dǎo)量子芯片一般包括外電路和約瑟夫森結(jié)，其中外電路可以用很多的材料來制備，包括Nb、Al、TiN、Ta超導(dǎo)薄膜等。哪種材料是最佳的超導(dǎo)芯片外電路材料，目前還是一個懸而未決的問題。因此，我們需要對各種材料的生長條件、性質(zhì)進行探索、測量，從中獲得提升超導(dǎo)量子芯片性能的有利信息。最近的研究表明，高溫下磁控濺射生長的Ta膜對于超導(dǎo)量子芯片的性能有很大的提升。磁控鍍膜系統(tǒng)是一種成熟的制備薄膜的系統(tǒng)，在半導(dǎo)體等研究領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。但由于超導(dǎo)材料對系統(tǒng)的潔凈度、真空度、濺射速率等有很高的要求，低背景真空、差的潔凈度等不利因素，將會嚴(yán)重影響超導(dǎo)薄膜的質(zhì)量，從而影響超導(dǎo)量子芯片的性能，因此，需要專用的高真空磁控鍍膜系統(tǒng)來制備我們高緯度量子芯片所需要的外電路薄膜。我們目前擁有的磁控鍍膜系統(tǒng)購置時間較久，存在著系統(tǒng)老化等問題，經(jīng)常需要頻繁的停機維修，嚴(yán)重影響了研究的進程。另外，其背景真空度和襯底加熱系統(tǒng)性能也不能滿足本課題研究需要。因此，我們擬購置一套新的超高真空磁控鍍膜系統(tǒng)，用來制備高緯度超導(dǎo)量子芯片的外圍電路。